| # E3-1：写入内存模型验证 |
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| ## 状态 |
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| - **E3-1b（主实验）**：✅ 已完成，数据在 `../../write_memory/` |
| - **E3-1a（无 flush 基线）**：TODO，需新增程序 `no_flush_bench` |
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| ## E3-1a：无 flush 基线（动机实验） |
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| **产出**：F3-0（无 flush 时内存单调增长曲线） |
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| **目的**：作为对照，直观说明"不做内存管理就会爆"，与 F3-1/F3-2 形成 before/after 对比。 |
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| ### 编译配置 |
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| **C5**（ENABLE_MEM_STAT=ON，需要 ModStat 追踪各模块内存） |
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| ### 程序：`no_flush_bench` |
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| 与现有 `write_memory.cpp` 逻辑基本相同，唯一区别： |
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| - `memory_threshold` 设为极大值（如 `UINT64_MAX`），关闭自动 flush |
| - 不手动调用 `flush()` |
| - 内存超过某个上限（如 2 GB）时提前终止，避免 OOM |
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| ### 实验配置 |
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| 与 E3-1b 完全一致（W0 基线：10 设备，200M 行，SNAPPY，batch_size=65536），仅 flush 行为不同。 |
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| ### 预期现象 |
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| $M_{\text{data}}$ 和 $M_{\text{meta}}$ 均单调递增，总内存持续攀升不回落。与 F3-1（有 flush 的锯齿形曲线）并排展示，对比鲜明。 |
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| ### 输出 |
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| - `no_flush_stats.csv`：格式与 `write_memory_stats.csv` 相同 |
| - `plot_no_flush.py`（或复用 `../../write_memory/plot_memory.py`） |
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| ## E3-1b：有 flush 写入（主实验） |
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| 已完成，见 `../../write_memory/`： |
| - 程序：`write_memory.cpp`，`memory_threshold=50MB` |
| - 产出：F3-1（顺序模式）、F3-2（混合模式）、T3-1~T3-4 |
