E3-3：读取内存模型验证

状态：TODO

产出：F3-3（折线图）、T3-6（精度矩阵）

目的

验证读取内存公式：

M_read ≈ M_fixed + batch_size × s_row + N_cols × C_page

程序：read_mem_model

编译配置

C5（ENABLE_MEM_STAT=ON，需要 ModStat 按 AllocModID 追踪峰值内存）

实验参数矩阵

固定：W0 基线数据文件（10 设备，200M 行，SNAPPY）。读取时按列数选择对应的子集列。

关键 AllocModID

读取侧内存主要分布在：

• MOD_TSBLOCK：TsBlock 缓冲，随 batch_size 线性增长
• MOD_DECODER_OBJ：解压缓冲，随 N_cols 线性增长
• MOD_DEFAULT 等：固定开销 M_fixed

执行流程

1. 写入阶段（一次性）：若 W0 基线文件不存在则生成
2. 读取阶段：对每组 (N_cols, batch_size) 做全量扫描，ModStat 记录峰值
3. 计算公式估算值，与实测对比

输出

• read_memory_results.csv：n_cols, batch_size, measured_kb, formula_kb, error_pct + 各 AllocModID 明细
• plot_read_memory.py：折线图，x = batch_size，y = 峰值内存，不同 N_cols 为不同曲线，虚线为公式预测

预期结论

• TsBlock 缓冲随 batch_size 线性增长
• 解压缓冲随 N_cols 线性增长
• M_fixed 与两者均无关