E3-1：写入内存模型验证

状态

• E3-1b（主实验）：✅ 已完成，数据在 ../../write_memory/
• E3-1a（无 flush 基线）：TODO，需新增程序 no_flush_bench

E3-1a：无 flush 基线（动机实验）

产出：F3-0（无 flush 时内存单调增长曲线）

目的：作为对照，直观说明“不做内存管理就会爆”，与 F3-1/F3-2 形成 before/after 对比。

编译配置

C5（ENABLE_MEM_STAT=ON，需要 ModStat 追踪各模块内存）

程序：no_flush_bench

与现有 write_memory.cpp 逻辑基本相同，唯一区别：

• memory_threshold 设为极大值（如 UINT64_MAX），关闭自动 flush
• 不手动调用 flush()
• 内存超过某个上限（如 2 GB）时提前终止，避免 OOM

实验配置

与 E3-1b 完全一致（W0 基线：10 设备，200M 行，SNAPPY，batch_size=65536），仅 flush 行为不同。

预期现象

$M_{\text{data}}$ 和 $M_{\text{meta}}$ 均单调递增，总内存持续攀升不回落。与 F3-1（有 flush 的锯齿形曲线）并排展示，对比鲜明。

输出

• no_flush_stats.csv：格式与 write_memory_stats.csv 相同
• plot_no_flush.py（或复用 ../../write_memory/plot_memory.py）

E3-1b：有 flush 写入（主实验）

已完成，见 ../../write_memory/：

• 程序：write_memory.cpp，memory_threshold=50MB
• 产出：F3-1（顺序模式）、F3-2（混合模式）、T3-1~T3-4